Презентация "Физические свойства полупроводников"

Слайд #1

Физические свойства полупроводников

Слайд #2

Содержание
Введение;
Историческая справка;
Полупроводники;
Виды полупроводников;
Строение собственных полупроводников;
Донорные примеси;
Акцепторные примеси;
Дрейфовое и диффузионное движение носителей заряда;
Электронно-дырочный переход;
Применение;
Заключение;
Список использованных источников.

Слайд #3

ВВЕДЕНИЕ
Основу всех современных электронных приборов составляют полупроводники – вещества, способные, как проводить электрический ток, так и препятствовать его прохождению.

Слайд #4

Историческая справка
В 1956 г. Уильям Шокли, Джон Бардин и Вальтер Бреттейн были удостоены Нобелевской премии по физике «за исследование полупроводников и открытие транзисторного эффекта».

Слайд #5

Полупроводники
При нагревании полупроводников их электрическое сопротивление падает, а не возрастает, как у металлов.
Односторонняя проводимость контакта двух полупроводников;
Являются источниками фото - э. д. с. или термо - э. д. с.

Слайд #6

Виды Полупроводников
Полупроводники
Собственные
(с.н.з. электроны и дырки)
Примесные
Акцепторные
(с.н.з. дырки)
Донорные
(с.н.з. электроны)

Слайд #7

Строение Собственных полупроводников
При небольшой температуре
При нагревании
Под действием электрического поля
𝑛 𝑖 = 𝑝 𝑖 =𝐴 𝑒 − ∆ 𝑊 3 2𝑘𝑇
Число (концентрация) свободных носителей заряда в полупроводнике описывается зависимостью:

Слайд #8

Донорные примеси
Поскольку концентрация свободных электронов в основном определяется концентрацией внесенной примеси 𝑁 д , то
𝑛 𝑛 > 𝑝 𝑛

Слайд #9

Акцепторные примеси
Концентрация дырок в валентной зоне определяется концентрацией внесенной примеси 𝑁 𝑎 , а не дырками, возникшими в результате перехода электронов из валентной зоны в зону проводимости. Отсюда следует, что
𝑝 𝑝 > 𝑛 𝑝

Слайд #10

Дрейфовое и диффузионное движение носителей заряда
Под действием разности потенциалов в полупроводнике возникает электрическое поле, ускоряющее электроны и дырки и сообщающее им еще некоторое поступательное движение, представляющее ток проводимости. Направленное движение носителей заряда под действием электрического поля называют дрейфом (дрейфовое движение).
При создании в полупроводнике двух областей с разными концентрациями носителей заряда, в результате теплового движения носители переходят из области с их высокой концентрацией в область с меньшей концентрацией, т.е. стремятся к выравниванию концентраций. Направленное движение носителей заряда под воздействием разности концентраций называется диффузией (диффузионное движение).

Слайд #11

Электронно-дырочный переход

Слайд #12

Применение полупроводников
Транзисторы
Термисторы
Фоторезисторы
Светодиоды
Фотодиоды
Диоды

Слайд #13

Заключение
Создание приборов на основе полупроводников произвело в середине XX в. техническую революцию. Дальнейшее их развитие привело к созданию интегральных микросхем, появлению новых поколений электронно-вычислительных машин и персональных компьютеров. Сейчас ни одна область науки и техники не обходится без их применения.